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IMZC120R007M2HXKSA1

Name: Infineon IMZC120R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZC120R007M2HXK
Price: 40.14 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMZC120R007M2HXK

Fabricante N.º:

IMZC120R007M2HXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	PG-TO247-4-U07
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	201 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.1 V
Qg - Carga de puerta:	176 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	711 W
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Enhancement
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	33.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	60 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	21.5 ns
Serie:	CoolSiC G2
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	76.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	32.4 ns
Alias de las piezas n.º:	IMZC120R007M2H SP006031756

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.