GE10MPS06Q-TR

GeneSiC Semiconductor
905-GE10MPS06Q-TR
GE10MPS06Q-TR

Fabricante:

Descripción:
Diodos Schottky de SiC 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Navitas Semiconductor
Categoría de producto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-8
Single
10 A
650 V
1.25 V
55 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Schottky MPS
Reel
Cut Tape
Marca: GeneSiC Semiconductor
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Dp - Disipación de potencia : 191 W
Tipo de producto: SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa: 650 V
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with robustness and thermal conductivity. The 650V diodes feature superior system ruggedness, zero recovery losses, and smaller heat sink requirements. These diodes enable extremely fast switching, reduced cooling requirements, zero reverse recovery current, and increased system power density. GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS Diodes are ideal for ease of paralleling without thermal runaway. The diodes are available in a variety of packages, including TO-220, TO-247, and SOT-227.