Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NTBLS1D1N08XTXG

Name: onsemi NTBLS1D1N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D1N08XTXG
Price: 4.45 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NTBLS1D1N08XTXG

Fabricante N.º:

NTBLS1D1N08XTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V SG TOLL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

NTBLS1D1N08XTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NTBLS1D1N08XTXG

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 23 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$4.45	$4.45
	$3.12	$31.20
	$2.68	$268.00
	$2.60	$1,300.00
	$2.58	$2,580.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$2.58	$5,160.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H-PSOF-8L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	299 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	120 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	197 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	152 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	294 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	118 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	22 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTBLS1D1N08XTXG Hoja de datos

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

T10 Low/Medium Voltage MOSFETs

onsemi T10 Low/Medium Voltage MOSFETs are single N-channel power MOSFETs in 40V and 80V categories with improved performance, enhanced system efficiency, and high power density. These power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The T10 low/medium voltage MOSFETs provide low Q_RRand a soft recovery body diode. These MOSFETs comply with the RoHS and are Pb-free and Halogen-free/BFR-free. Typical applications include Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC converters, the primary switch in an isolated DC-DC converter, battery protection, and motor drives.