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STGB30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGB30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB30H60DFB
Price: 3.29 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STGB30H60DFB

Fabricante N.º:

STGB30H60DFB

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Hoja de datos:

STGB30H60DFB Hoja de datos (PDF)

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.29	$3.29
	$3.20	$32.00
	$2.48	$248.00
	$2.27	$1,135.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$1.14	$1,140.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	600 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	60 A
Dp - Disipación de potencia :	260 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGB30H60DFB
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	60 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	1.380 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.