|
|
Memoria flash tipo NOR 1G 3V 133MHz Serial Flash
Infineon Technologies S70FL01GSAGMFI013
- S70FL01GSAGMFI013
- Infineon Technologies
-
1:
$16.85
-
2,096En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
797-70FL01GSAGMFI013
|
Infineon Technologies
|
Memoria flash tipo NOR 1G 3V 133MHz Serial Flash
|
|
2,096En existencias
|
|
|
$16.85
|
|
|
$15.64
|
|
|
$15.15
|
|
|
$14.79
|
|
|
Ver
|
|
|
$12.28
|
|
|
$14.42
|
|
|
$13.95
|
|
|
$13.59
|
|
|
$12.28
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC054N04NSGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.24
-
53,842En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSGATMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
53,842En existencias
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.777
|
|
|
$0.512
|
|
|
$0.398
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.309
|
|
|
$0.331
|
|
|
$0.33
|
|
|
$0.309
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición IMOTION
- IMM101T046MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.26
-
3,374En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMM101T046MXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición IMOTION
|
|
3,374En existencias
|
|
|
$10.26
|
|
|
$7.95
|
|
|
$7.48
|
|
|
$6.66
|
|
|
Ver
|
|
|
$5.15
|
|
|
$6.37
|
|
|
$5.99
|
|
|
$5.30
|
|
|
$5.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
Infineon Technologies FS100R12N2T7B15BPSA1
- FS100R12N2T7B15BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$70.43
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FS100R12N2T7B15B
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
|
|
30En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Cables especializados GateLead-1102785
- GATELEAD L=500 PB34-70_1
- Infineon Technologies
-
1:
$15.83
-
610En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-GATELEAD500PB347
|
Infineon Technologies
|
Cables especializados GateLead-1102785
|
|
610En existencias
|
|
|
$15.83
|
|
|
$13.91
|
|
|
$13.33
|
|
|
$13.25
|
|
|
$13.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
- BGSA147ML10E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.60
-
6,387En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BGSA147ML10E6327
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
|
|
6,387En existencias
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.513
|
|
|
$0.483
|
|
|
$0.443
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.274
|
|
|
$0.418
|
|
|
$0.40
|
|
|
$0.359
|
|
|
$0.308
|
|
|
$0.274
|
|
|
$0.274
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.71
-
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC004NE2LS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
|
|
|
$2.71
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.976
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.913
|
|
|
$0.936
|
|
|
$0.925
|
|
|
$0.913
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
- BSC026NE2LS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.63
-
6,448En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC026NE2LS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
|
|
6,448En existencias
|
|
|
$0.63
|
|
|
$0.629
|
|
|
$0.508
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.439
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8
- BSC036NE7NS3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$3.23
-
10,931En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8
|
|
10,931En existencias
|
|
|
$3.23
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8
- BSC061N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.54
-
11,030En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8
|
|
11,030En existencias
|
|
|
$2.54
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.897
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.832
|
|
|
$0.891
|
|
|
$0.877
|
|
|
$0.832
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
- BSL211SPH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.90
-
11,377En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSL211SPH6327XTS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH
|
|
11,377En existencias
|
|
|
$0.90
|
|
|
$0.547
|
|
|
$0.364
|
|
|
$0.279
|
|
|
$0.252
|
|
|
$0.198
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HITFET
- BTF3050EJXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.51
-
5,986En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BTF3050EJXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación HITFET
|
|
5,986En existencias
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.00
|
|
|
$0.886
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.722
|
|
|
$0.832
|
|
|
$0.799
|
|
|
$0.773
|
|
|
$0.722
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 200mOhms
- BTS4880R
- Infineon Technologies
-
1:
$12.03
-
2,310En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BTS4880R
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 200mOhms
|
|
2,310En existencias
|
|
|
$12.03
|
|
|
$9.78
|
|
|
$9.33
|
|
|
$8.10
|
|
|
Ver
|
|
|
$6.16
|
|
|
$7.73
|
|
|
$7.05
|
|
|
$6.16
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación MULTICHIP PROFET & GD
- BTS500251TADATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$4.60
-
2,962En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BTS500251TADATM2
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación MULTICHIP PROFET & GD
|
|
2,962En existencias
|
|
|
$4.60
|
|
|
$3.49
|
|
|
$3.21
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.37
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.75
|
|
|
$2.66
|
|
|
$2.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
- 1ED3241MC12HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.22
-
1,411En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ED3241MC12HXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Controladores de puertas ISOLATED DRIVER
|
|
1,411En existencias
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
- F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$116.28
-
25En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-F3L8MR12W2M1HPB1
|
Infineon Technologies
|
Módulos MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
|
|
25En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
- FF450R12ME4B11BPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$140.50
-
18En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF450R12ME4B11B2
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
|
|
18En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT HYBRID PACK DRIVE G1 SI
- FS820R08A6P2LBBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$349.36
-
22En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FS820R08A6P2LBBP
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT HYBRID PACK DRIVE G1 SI
|
|
22En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IPG16N10S461AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.68
-
5,242En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-G16N10S461AATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
5,242En existencias
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.705
|
|
|
$0.555
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.466
|
|
|
$0.44
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IAUZ20N08S5L300ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.21
-
5,258En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
5,258En existencias
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.389
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.30
|
|
|
$0.323
|
|
|
$0.322
|
|
|
$0.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs INDUSTRY
- IKB30N65EH5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.70
-
1,922En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKB30N65EH5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
IGBTs INDUSTRY
|
|
1,922En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$3.70
|
|
|
$2.43
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos de Potencia Inteligentes - IPMs CIPOS MINI
- IKCM15L60GAXKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.09
-
397En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKCM15L60GAXKMA1
|
Infineon Technologies
|
Módulos de Potencia Inteligentes - IPMs CIPOS MINI
|
|
397En existencias
|
|
|
$11.09
|
|
|
$8.93
|
|
|
$7.15
|
|
|
$7.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAN70R600P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.44
-
4,880En existencias
-
5,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,880En existencias
5,000En pedido
|
|
|
$1.44
|
|
|
$0.682
|
|
|
$0.603
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.381
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
- IPB010N06N
- Infineon Technologies
-
1:
$5.89
-
2,566En existencias
-
997En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06N
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
|
|
2,566En existencias
997En pedido
|
|
|
$5.89
|
|
|
$4.46
|
|
|
$3.61
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
- IPB036N12N3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$6.30
-
1,200En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB036N12N3GXT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
|
|
1,200En existencias
|
|
|
$6.30
|
|
|
$4.83
|
|
|
$3.91
|
|
|
$3.47
|
|
|
$3.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
