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MT53E512M32D1NP-046 WT:B

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Mouser N.º:

340-479119-TRAY

Fabricante N.º:

MT53E512M32D1NP-046 WT:B

Fabricante:

Micron

Descripción:

DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT

Hoja de datos:

MT53E512M32D1NP-046 WT:B Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micron Technology
Categoría de producto:	DRAM
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tipo:	SDRAM Mobile - LPDDR4
Tamaño de memoria:	16 Gbit
Ancho de bus de datos:	32 bit
Frecuencia de reloj máxima:	2.133 GHz
Paquete / Cubierta:	WFBGA-200
Organización:	512 M x 32
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.06 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.95 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 30 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Micron
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1360
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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Hoja de datos

MT53E512M32D1NP-046 WT:B Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

LPDDR4 Memory

Micron LPDDR4 Memory is optimized to address power consumption issues in battery-operated applications. These memory devices offer 33% faster peak bandwidth compared to DDR4. The LPDDR4 Memory provides 5 times lower power consumption in standby mode compared to standard DRAM. These Memory Devices feature Multi-Chip Package (MCP) and Package-on-Package (PoP) designs that save PCB space. The LPDDR4 Memory Devices optimize x16, x32, and x64 configurations and offer BOM savings for certain applications. The LPDDR4 Memory combines performance, power, latency, and physical space, which makes it energy-efficient. These LPDDR4 Memory Devices are suitable for handsets, battery-operated applications, and ultra-portables.