STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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1,000Se espera el 25/5/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
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IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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992En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 40 V, 10 A dual Low Vf Power Schottky Rectifier
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X10 Amp 100 Volt
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5,949En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220FP-3


STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 120 V, 20 A 3-lead single Low Leakage Power Schottky rectifier
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3,376En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 8.0 Amp 100 Volt
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
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1,364En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Rectificadores Ultrafast Recovery 3000V 12pF Diode
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1,145En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Rectificadores Recovery Diode Ultra Fast
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Rectifiers SMD/SMT SMC
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
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2,389En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
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1,719En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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1,083En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
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1,107En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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552En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4